저온 3D증착 | 타사 150~200℃ / 자사 90℃ |
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우수한 3D배선 밀착력 | 60/60㎛ Pitch, 5B (ASTM D3359) |
반도체IC Metal 증착 성능 | – 전자파 차폐성능 : Ag-Spray 70dB↓/ 자사 75dB↑ – 상면 vs. 측면 증착 비 : 타사 45%↓/ 자사 60% |
기판 3면 증착을 이용한 Display 제품에 적용 |
– 다양한 크기/두께의 기판 구현 가능 – 증착막 균일도 우수 (공차 ≤ 5%) – 고순도 Metal 증착을 통한 전기 전도도 우수 |
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Chip 5면 증착을 이용한 전자파차폐(EMI Shield) 제품에 적용 |
– 3 Layer Metal 적용 (Sus / Cu / Sus) – 다양한 Metal 종류 및 두께 적용 가능 – 높은 전자파 차폐 가능 (75dB↑) |
Sputter 설비 기본구성 (1Chamber) — Sputtering Chamber + Carrier L/UL(진공/대기) + Baking Chamber + Cassette L/UL 01. Cassette L/UL 02. Carrier L/UL