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发展历史
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发展历史
6
Numbers of Development
FCCL
沉积设备
ITO金属 挡板
银浆
焊球
EMI薄膜 金属沉积
FCCL
2000~2010
溅射和镀铜工艺的发展
01
沉积设备
2005~2011
FCCL降低成本项目
02
ITO金属 挡板
2005~2011
ITO薄膜上沉积金属挡板
(与3M合并,设备业务分拆,现在TETOS)
03
银浆
2014 ~ 现在
Cu枝晶表面Ag溅射。
(散热,导电材料)
04
焊球
2015 ~ 现在
半导体封装(BGA焊接)材料
05
EMI薄膜 金属沉积
2017 ~ 现在
在纳米纤维,铜柱等表面进行金属溅射
(半导体屏蔽替换,EMI Shielder)
06