We are Creating · Co-working · Contributing
We are Creating · Co-working · Contributing
Wafer 铜电镀机
Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程
Cu Plating Process
电镀设备构成
Wafer 电镀设备/3D设计
– 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload.
— 电镀设备主要特征
| — | 可进行至1.5 -> 3ASD的高速Thick RDL电镀。 |
|---|---|
| — | 可进行Wafer 6张/1次连续自动电镀。(Loading : Manual) |
| — | 可进行少量多品种电镀。(可同时适用1~6产品Recipe) |
| — | 可制作电镀金额节约型Bath结构产品。 |
| — | 可进行Jig国内制造并进行Repair应对。 |
| — | 国内制造、国内/海外Setup并可提供快速A/S。 |
— TETOS 电镀设备优点
| — | 基于FPCB Cu溅镀/电镀经验，保证拥有与现有Cu电镀设备企业同等水平的质量。 特别是，可在Power Device相关较厚的Cu RDL电镀条件下，进行优秀的Cpk管理。 |
|---|---|
| — | 可进行符合顾客要求规格的设备的设计与制作，电镀金额，可配合企业相关条件的电镀条件的 Setup。 |
Other Services
-
EMI Shield Sputter
Sputter 设备基本构成 (1Chamber) — Sputtering Chamber + Carrier L/UL(真空待机) + Baking Chamber + Cassette L/UL 01. Cassette L/UL02. Carrier L/UL 机器人03. Baking
-
用于显示的玻璃侧布线
显示板三面同时沉积金属(侧面布线技术) — 产品应用 ㆍ基板侧布线电视 ㆍ基板/球/沉积 用于显示器基板3面的同时金属低温沉积技术(3D低温沉积方法和设备) — 优点和差异 低温3D沉积 其他公司 150~200℃ / TETOS 90℃ 出色的3D布线附着力 60/60㎛ Pitch, 5B (ASTM D3359) 半导体IC金属沉积性能 –
