Wafer 铜电镀机

Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程

Cu Plating Process

电镀设备构成

Wafer 电镀设备/3D设计

– 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload.

— 电镀设备主要特征

可进行至1.5 -> 3ASD的高速Thick RDL电镀。
可进行Wafer 6张/1次连续自动电镀。(Loading : Manual)
可进行少量多品种电镀。(可同时适用1~6产品Recipe)
可制作电镀金额节约型Bath结构产品。
可进行Jig国内制造并进行Repair应对。
国内制造、国内/海外Setup并可提供快速A/S。

TETOS 电镀设备优点

基于FPCB Cu溅镀/电镀经验,保证拥有与现有Cu电镀设备企业同等水平的质量。
特别是,可在Power Device相关较厚的Cu RDL电镀条件下,进行优秀的Cpk管理。
可进行符合顾客要求规格的设备的设计与制作,电镀金额,可配合企业相关条件的电镀条件的 Setup。

Other Services

  • 卷对卷电镀

    卷对卷电镀 — 在镀液中对薄膜表面的电解和化学反应 — 在FPCB电路的Laser hole(PTH)电镀 — FCCL的空间层电镀 — 触摸屏的电子回路镀铜 — 统一的金属板厚度控制(0.15微米至200微米±10%) — 镀膜质量控制(绿色尺寸,粗糙度等) — 可以在两面进行电镀

  • EMI Shield Sputter

    Sputter 设备基本构成 (1Chamber) — Sputtering Chamber + Carrier L/UL(真空􏚨待机) + Baking Chamber + Cassette L/UL 01. Cassette L/UL02. Carrier L/UL 机器人03. Baking