Wafer 铜电镀机

Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程

Cu Plating Process

电镀设备构成

Wafer 电镀设备/3D设计

– 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload.

— 电镀设备主要特征

可进行至1.5 -> 3ASD的高速Thick RDL电镀。
可进行Wafer 6张/1次连续自动电镀。(Loading : Manual)
可进行少量多品种电镀。(可同时适用1~6产品Recipe)
可制作电镀金额节约型Bath结构产品。
可进行Jig国内制造并进行Repair应对。
国内制造、国内/海外Setup并可提供快速A/S。

TETOS 电镀设备优点

基于FPCB Cu溅镀/电镀经验,保证拥有与现有Cu电镀设备企业同等水平的质量。
特别是,可在Power Device相关较厚的Cu RDL电镀条件下,进行优秀的Cpk管理。
可进行符合顾客要求规格的设备的设计与制作,电镀金额,可配合企业相关条件的电镀条件的 Setup。

Other Services

  • 屏蔽/散热薄膜

    屏蔽/散热薄膜 — 屏蔽/散热膜沉积 — 用溅射替代传统的电镀。 通过多样化和简化层来提高质量和价格竞争力。 — 通过溅射浸渍非电镀产品提高了半导体元件的可靠性 — 通过采用不变形原材料的溅射方式,应用于各种零件 ㆍ TETOS产品结构(溅射方式) ㆍPU膜溅射样品的图片。

  • 卷对卷溅射

    卷对卷溅射 — 用于真空室内部在金属/非金属的膜片表面上沉积的设备 — 根据不同物质的沉积,可具有导电性,绝缘性,散热性,电子的吸附性等性质 — 用于超快速制造(厚度0.001微米到100微米) — 沉积厚度的偏差小,可靠性高 — 可以形成柔性金属层 — 绿色 (亲环境)沉积法 ㆍ真空室 ㆍ触摸面板电极 ㆍCOF电路 ㆍNFC天线 ㆍ电磁屏蔽膜