低温3D沉积 | 其他公司 150~200℃ / TETOS 90℃ |
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出色的3D布线附着力 | 60/60㎛ Pitch, 5B (ASTM D3359) |
半导体IC金属沉积性能 | – EMI屏蔽性能 : Ag-Spray 70dB↓/ TETOS 75dB↑ – 顶面 vs. 侧沉积比较 : 其他公司 45%↓/ TETOS 60% |
应用于使用三面基板沉积显示产品 | – 可以实现各种尺寸/厚度的板 – 优异的沉积膜均匀性(公差≤5%) – 通过高纯度金属沉积实现优异的导电性 |
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使用芯片5面沉积应用于EMI屏蔽产品 | – 3层金属应用(Sus / Cu / Sus) – 可以应用各种金属类型和厚度 – 可实现高电磁屏蔽(75dB↑) |
Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程 Cu Plating Process 电镀设备构成 Wafer 电镀设备/3D设计 – 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload. — 电镀设备主要特征