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Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程 Cu Plating Process 电镀设备构成 Wafer 电镀设备/3D设计 – 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload. — 电镀设备主要特征
卷对卷电镀 — 在镀液中对薄膜表面的电解和化学反应 — 在FPCB电路的Laser hole(PTH)电镀 — FCCL的空间层电镀 — 触摸屏的电子回路镀铜 — 统一的金属板厚度控制(0.15微米至200微米±10%) — 镀膜质量控制(绿色尺寸,粗糙度等) — 可以在两面进行电镀