EMI Shield Sputter

Sputter 设备基本构成 (1Chamber)

— Sputtering Chamber + Carrier L/UL(真空􏚨待机) + Baking Chamber + Cassette L/UL

01. Cassette L/UL
02. Carrier L/UL 机器人
03. Baking Chamber
04. Carrier L/UL 真空机器人
05. 高真空泵
06. Carrier 安装旋转夹具
07. Sputtering maintenance UT/Door
08. Sputtering Chamber
09. 中真空泵/Chiller

Batch 旋转 Sputtering Process 比较

ㆍ现有 Inline / Cluster 方式


Multi Chamber Sputtering (3~5Chamber)

侧面的蒸镀厚度小于Top面,Film面的蒸镀厚度增大,
在进行Pick & Place工艺时,PKG Corner部位会发生蒸
镀膜剥落或蒸镀膜Burr。

TETOS 双向旋转 type 蒸镀方式


1 Chamber 旋转型 Sputtering

– Carrier通过双向旋转,进行蒸镀时可产生角度 5~30˚,有利于Package侧面蒸镀。
– Top和侧面蒸镀厚度相对均匀。
– 很少发生Corner蒸镀脱落或蒸镀膜粘连。
– 1 Chamber清洗时间、Target更换时间短。

Package EMI Shielding TEST Result

ㆍ其他公司的 FIB Image(x10,000)

TETOS FIB Image(x10,000)

Other Services

  • Wafer 铜电镀机

    Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程 Cu Plating Process 电镀设备构成 Wafer 电镀设备/3D设计 – 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload. — 电镀设备主要特征

  • 塑料焊锡球

    塑料焊锡球 — 用于半导体封装的焊球(Plastic Cored Solder Ball) — 与竞争对手的多层镀膜相比,使用最小层溅射法的制造方法确保了单位价格的竞争力 — 由于Cu / Sn界面空洞分层等缺陷因素减少,提高了质量可靠性 — 未来的市场反应和应用程序可扩展性与粒度PCSB(最小尺寸> 4微米)与竞争性PCSB的比较 ㆍTETOS焊球结构 ㆍ竞争对手焊球结构