— | 用于真空室内部在金属/非金属的膜片表面上沉积的设备 |
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— | 根据不同物质的沉积,可具有导电性,绝缘性,散热性,电子的吸附性等性质 |
— | 用于超快速制造(厚度0.001微米到100微米) |
— | 沉积厚度的偏差小,可靠性高 |
— | 可以形成柔性金属层 |
— | 绿色 (亲环境)沉积法 |
Application : 半导体 Wafer Bumping RDL/UBM 过程 Cu Plating Process 电镀设备构成 Wafer 电镀设备/3D设计 – 构成: 电镀/Rinse Bath, 控制, Wafer Load/Unload. — 电镀设备主要特征
Sputter 设备基本构成 (1Chamber) — Sputtering Chamber + Carrier L/UL(真空待机) + Baking Chamber + Cassette L/UL 01. Cassette L/UL02. Carrier L/UL 机器人03. Baking